Toshiba baut 6. Fab mit Memory R&D Zentrum in Yokkaichi, Japan

14.02.2017

Toshiba beginnt mit dem Bau einer hochmodernen Halbleiterfertigungsanlage in Japan. Dabei wird auch ein neues R&D-Zentrum integriert.

09. Februar 2017, Yokkaichi (Japan)

Die Fab 6 widmet sich der Produktion von BiCS FLASH, dem innovativen 3D-Flashspeicher von Toshiba. Wie bei Fab 5 wird das Bauvorhaben in zwei Phasen stattfinden, so dass die Investitionen dem Marktrend entsprechend optimiert werden können.

Toshiba ist entschlossen, seine Wettbewerbsfähigkeit im Speichergeschäft durch den rechtzeitigen Ausbau der BiCS-FLASH-Produktion zu steigern und die Innovationsführerschaft beizubehalten.

Vollständige Pressemitteilung: Toshiba