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1 Terabit pro Chip und 64 Schichten Micron kündigt SSD mit QLC-NAND-Technik an
Mit der 5210 ION hat Micron eine neue SSD vorgestellt, die vor allem auf die Bedürfnisse leseintensiver Cloud-Workloads ausgelegt ist. Sie nutzt dazu QLC-Flashspeicher mit 64 Zellschichten und einem Terabit pro Chip.
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(Bild: Micron)
Die Quad-Level-Cell-Technik (QLC) wurde von Micron und Intel im Rahmen eines Joint Ventures entwickelt und erst vor kurzem der Öffentlichkeit vorgestellt. Sie nutzt 3D-NAND-Flashspeicher mit 4 Bits pro Zelle und 64 Zellschichten. Auf diese Weise wird pro Die ein Terabit an Kapazität erreicht.
Die 5210 ION soll im Enterprise-Umfeld Bereiche erobern, die bisher von Festplatten dominiert wurden. Die 2,5-Zoll-SSD wird per SATA angebunden und in Varianten mit 1,92 bis 7,68 Terabyte Speicherplatz auf den Markt kommen. Sie ist primär für leseintensive Anwendungen konzipiert, da die Haltbarkeit des QLC-Flashspeichers mit 1000 P/E-Vorgängen (Programming/Erase) nur bei rund einem Drittel von TLC-Speicher liegt.
Blick in die Zukunft
Parallel zur Ankündigung der SSD gab Micron bekannt, dass die Entwicklung von 3D-NAND-Speicher der dritten Generation mit 96 Schichten voranschreitet. Der Hersteller hat sich zum Ziel gesetzt, künftig Flashspeicher mit der höchsten Dichte an Gigabit pro Quadratmillimeter anzubieten.
Sowohl die aktuelle 64-Layer-Variante als auch der kommende Nachfolger nutzen CMOS-under-the-array-Technik (CuA), um Die-Größen zu reduzieren und hohe Leistung zu erreichen. Da Intel und Micron bei NAND-Speicher vier statt der sonst gängigen zwei Ebenen nutzen, können mehr Zellen parallel gelesen und geschrieben werden. Dies ermöglicht höhere Datendurchsätze und Bandbreiten.
Verfügbarkeit
Genaue technische Daten zur SSD gab Micron noch nicht bekannt. Die 5210-ION-SSDs werden bereits an strategische Partner und Kunden ausgeliefert. Der Hersteller erwartet die breite Marktverfügbarkeit für Herbst 2018. Angaben zu Preisen wurden ebenfalls noch nicht gemacht.
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