3,5-Zoll-Single-Level-Cell-SSDs mit 100 und 200 Gigabyte Kapazität

Samsung nimmt Massenproduktion von Flash-Speichern für Storage-Systeme auf

12.10.2010 | Redakteur: Nico Litzel

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Die 3,5-Zoll-SLC-NAND-Flashspeicher von Samsung erzielen im Vergleich zu einer Festplatte mit 15.000 Umdrehungen pro Minute eine 130-fach höhere Lese- und eine 80-fach höhere Schreibgeschwindigkeit.

Samsung fertigt seit September in hohen Stückzahlen Solid State Drives, die als Primärspeicher in Enterprise-Speichersystemen zum Einsatz kommen sollen. EMC hat bereits angekündigt, die Halbleiterspeicher zu verbauen.

Im September hat Samsung die Massenproduktion von Solid State Drives mit 100 und 200 Gigabyte Kapazität aufgenommen. Die in einem 40-Nanometer-Prozess gefertigten Single-Level-Cell-NAND-Laufwerke verarbeiten nach Angaben von Samsung Random-Read-Befehle mit 47.000 IOPS und Random-Write-Befehle mit 29.000 IOPS.

Darüber hinaus sind die Solid State Drives mit einem Controller ausgestattet, der ein SATA-3Gb/s-Interface voll ausschöpft. Die 200-Gigabyte-Modelle lesen Samsung zufolge Daten sequentiell mit 260 Megabyte pro Sekunde aus. Die Schreibgeschwindigkeit liegt bei 245 Megabyte pro Sekunde.

Datenverschlüsselung

Zudem hat der Hersteller die Laufwerke mit einer „End-to-End Data Protection“-Funktion und einem Datenverschlüsselungsalgorithmus ausgestattet, um den wachsenden Zuverlässigkeits- und Sicherheitsanforderungen bei Enterprise-Storage-Systemen Rechnung zu tragen.

Als erstes Unternehmen wird EMC die neuen SSDs erhalten. „Wir haben mit Samsung zusammengearbeitet, um Samsungs neue SSDs für unser marktführendes Enterprise-Storage-Portfolio zu qualifizieren,“ sagt Joel Schwartz, EMCs Senior Vice President, Common Storage Platform Operations.